A Samsung far√° o seu smartphones seja mais r√°pido com os novos chips eUFS 3.1

Samsung anunciado oficialmente o início da produção em massa de novos chips de memória para seus smartphoneseles chegam com 512 GB de armazenamento e suporte para o novo padrão de transferência USF 3.1 o que aumenta a velocidade de leitura e gravação.

Os carros-chefe da Samsung serão muito mais rápidos e eficientes, pois o fabricante anunciou a produção em massa de chips de memória eUFS. 3.1, que permitirá armazenar 8k vídeos e arquivos grandes.

A Samsung Electronics, l√≠der mundial em tecnologia de mem√≥ria avan√ßada, anunciou hoje que come√ßou a produzir em massa o primeiro eUFS (Universal Flash Storage) de 512 gigabytes (GB) do mundo. 3.1 da ind√ļstria para uso em smartphones emblem√°ticos.

512 GB de armazenamento

Novas memórias chegam com suporte para o padrão eUFS 3.1, com um armazenamento de 512 GB, embora estes estejam sendo implementados na série Galaxy S20, não demorará muito para que outros fabricantes comecem a implementá-los.

Gra√ßas √† velocidade de armazenamento do chip eUFS 3.1 512 GB, os usu√°rios poder√£o armazenar mais informa√ß√Ķes em menos tempo, diz a empresa na publica√ß√£o oficial.

A Samsung far√° o seu smartphones seja mais r√°pido com os novos chips eUFS 3.1 1Samsung

Velocidade de gravação três vezes melhor que o UFS 3.0

Em fevereiro de 2019, a Samsung lan√ßou seus chips de mem√≥ria UFS 3.0 com uma velocidade de 1.000 MB / s, ou seja, o dobro da velocidade de leitura em compara√ß√£o com o SSD SATA de 2,5 polegadas na leitura seq√ľencial, enquanto na escrita atinge 260 MB / s.

Agora o novo eUFS 3.1 512 GB terá nada mais e nada menos que velocidades de leitura e gravação sequenciais de até 2100MB / se 1200MB / s, respectivamente.

"Com a introdu√ß√£o de um armazenamento m√≥vel mais r√°pido, os usu√°rios de smartphones n√£o precisar√£o mais se preocupar com o gargalo que enfrentam com os cart√Ķes de armazenamento convencionais" disse Cheol Choi, vice-presidente executivo de vendas e marketing de mem√≥ria da Samsung Electronics.

Em outras palavras, voc√™ pode transferir at√© 100 GB de dados para seu celular com o eUFS 3.1 ou em apenas 90 segundos ou menos para os carros-chefe da marca, enquanto outras vers√Ķes com eUFS 3.0 requer mais de quatro minutos.

Melhorias na velocidade aleatória de leitura e gravação

A Samsung tamb√©m relatou melhorias no n√≠vel aleat√≥rio de leitura e grava√ß√£o, com desempenho 60% mais r√°pido que a vers√£o UFS 3.0 Amplamente utilizado, oferecendo 100.000 opera√ß√Ķes de entrada / sa√≠da por segundo (IOPS) para leituras e 70.000 IOPS para grava√ß√Ķes.

Lembre-se de que o padrão UFS 3.0 Oferece 58.000 IOPS e 50.000 IOPS em leitura e gravação aleatória, respectivamente, se permitidas a leitura de um vídeo FullHD de 5 GB em apenas 5 segundos, imagine o que você pode fazer com as novas memórias eUFS 3.1.

Atualmente, nenhum outro recurso de armazenamento eUFS é conhecido. 3.1Mas a Samsung diz que também está trabalhando em 256 GB e 128 GB para os principais terminais, que serão lançados ainda este ano.

Por enquanto, a Samsung iniciou a produção em volume do V-NAND de quinta geração em sua nova linha Xi'an, China (X2) este mês para smartphones insígnias e high-end.